반응형 gaa트랜지스터1 미세 공정 기술: 3nm 시대의 도전과 과제 서론반도체 산업은 지속적인 기술 혁신을 통해 빠른 성장을 거듭해왔습니다. 그 중심에는 미세 공정 기술의 발전이 있으며, 최근 3나노미터(3nm) 공정 시대가 열리면서 업계는 새로운 도전과 기회를 맞이하고 있습니다. 본 글에서는 3nm 공정 기술의 특징, 직면한 과제, 그리고 향후 전망에 대해 살펴보겠습니다.1. 3nm 공정 기술의 특징3nm 공정 기술은 트랜지스터의 크기를 더욱 줄여 더 많은 트랜지스터를 동일한 면적에 집적할 수 있게 합니다. 이는 전력 효율 개선, 성능 향상, 그리고 칩 크기 감소를 가능하게 합니다.GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터 도입: 기존 FinFET 구조의 한계를 극복하기 위해 채택된 기술로, 트랜지스터 채널을 4면에서 제어해 누설 전류를 줄이고 전력 효율을 높입니.. 2025. 2. 22. 이전 1 다음 반응형
